隨著內存技術的不斷進步，業界領先的半導體制造商正積極探索下一代高帶寬內存（HBM）的革新方案。近日，據韓國科技新聞網站ETNews披露，三星電子、SK海力士及美光科技均對在即將推出的HBM4內存中采用新型的無助焊劑鍵合技術展現出了濃厚興趣，并已著手進行相關技術儲備。
據了解，HBM內存技術自問世以來，就以其超高的數據傳輸速度和能效比受到了業界的廣泛關注。隨著技術迭代至HBM4階段，16層堆疊結構將成為主流，這要求制造商必須進一步壓縮內存層間的間隙，以確保整體堆棧高度不超出規定的775微米限制。
在這一技術挑戰面前，傳統的有凸塊鍵合技術雖仍占據主導地位，但無凸塊的混合鍵合技術也在不斷發展中。然而，目前該技術尚未成熟，難以立即應用于大規模生產。因此，三大內存制造商開始將目光轉向了無助焊劑鍵合技術。
助焊劑在現有的HBM鍵合工藝中扮演著重要角色，它能夠有效清除DRAM芯片表面的氧化層，從而確保鍵合過程中的機械和電氣連接不受干擾。然而，助焊劑殘留物也會增加芯片間的間隙，進而影響整體堆棧的高度。
針對這一問題，美光科技表現得尤為積極，已與多家合作伙伴共同測試無助焊劑鍵合工藝的可行性。SK海力士也在考慮引入該技術，而三星電子同樣對此保持高度關注。這三大內存制造商的準備程度雖有所不同，但無疑都認識到了無助焊劑鍵合技術在未來HBM4內存生產中的潛在價值。
