德州儀器（TI）近日宣布，其位于日本會(huì)津的工廠正式啟動(dòng)氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的生產(chǎn)。這一舉措標(biāo)志著德州儀器GaN功率半導(dǎo)體的整體產(chǎn)能實(shí)現(xiàn)了四倍增長(zhǎng)。

德州儀器技術(shù)和制造高級(jí)副總裁 Mohammad Yunus 透露，公司已成功驗(yàn)證200mm GaN技術(shù)，并在會(huì)津工廠實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。這一技術(shù)被認(rèn)為是當(dāng)前最具可擴(kuò)展性和成本競(jìng)爭(zhēng)力的GaN制造方法。

隨著會(huì)津工廠的量產(chǎn)，德州儀器計(jì)劃到2030年將內(nèi)部制造率提升至95%以上，并確保GaN高功率、高能效半導(dǎo)體產(chǎn)品的穩(wěn)定供應(yīng)。

德州儀器還成功進(jìn)行了300mm晶圓GaN制造工藝的試點(diǎn)，這將使其能夠?qū)aN器件擴(kuò)展至900V及更高電壓，開(kāi)拓更多應(yīng)用場(chǎng)景。