杭州鎵仁半導體公司昨日宣布了一項重大的技術突破，成功推出了全球首個8英寸氧化鎵單晶，這一成就標志著鎵仁半導體在國際上率先掌握了8英寸氧化鎵單晶的生長技術。
據了解，鎵仁半導體在氧化鎵單晶的研發上持續深耕，從2022年起，先后成功生長出了2英寸、4英寸和6英寸的氧化鎵單晶。此次推出的8英寸單晶，不僅在晶圓面積利用率上有了顯著提升，更重要的是，它與現有硅基晶圓廠的8英寸生產線完全兼容，這無疑為氧化鎵的產業化應用鋪平了道路。
氧化鎵，特別是β-Ga2O3，以其4.85eV的寬禁帶、出色的熱和化學穩定性以及高擊穿電場強度，成為了第四代半導體材料中的佼佼者。與碳化硅和氮化鎵相比，氧化鎵在性能上更具優勢。
基于氧化鎵的功率器件在性能上實現了質的飛躍，它們能夠提供更小的電阻和更高的轉換效率，這對于新能源汽車領域來說，意味著平臺電壓有望被推升至1200V，從而進一步提升新能源汽車的性能和效率。氧化鎵材料在紫外波段的透過率表現出色，其260nm的紫外截止邊使得它成為制造深紫外波段光電器件的理想材料。
鎵仁半導體的這一技術突破，不僅展示了其在半導體材料研發方面的雄厚實力，也為全球半導體產業的發展注入了新的活力。隨著氧化鎵產業化應用的加速推進，我們有理由相信，未來將有更多基于氧化鎵的先進產品問世，為人類社會的進步貢獻更多力量。
