近期，科技圈內(nèi)傳來(lái)消息，蘋(píng)果、高通及聯(lián)發(fā)科三大科技巨頭已確定將采用臺(tái)積電的2nm制程技術(shù)于明年推出新品。這一決策預(yù)示著，隨著技術(shù)的進(jìn)一步升級(jí)，相關(guān)新機(jī)的成本或?qū)⒂瓉?lái)顯著提升，市場(chǎng)上或?qū)⒂瓉?lái)新一輪的價(jià)格上漲。

回顧去年，國(guó)產(chǎn)品牌曾因高通驍龍8 Elite與聯(lián)發(fā)科天璣9400芯片采用臺(tái)積電3nm工藝而集體上調(diào)了價(jià)格。彼時(shí)，REDMI總經(jīng)理王騰曾對(duì)此作出解釋?zhuān)赋鰸q價(jià)的主要原因有兩點(diǎn)：一是旗艦處理器升級(jí)至最新的3nm制程，工藝成本大幅增加；二是內(nèi)存與存儲(chǔ)成本在過(guò)去一年中持續(xù)攀升，已達(dá)到最高點(diǎn)，因此大內(nèi)存版本的漲幅更為顯著。

步入新的一年，科技巨頭們并未停止前進(jìn)的腳步。據(jù)悉，高通驍龍8 Elite 3與聯(lián)發(fā)科天璣9600等芯片都將升級(jí)為臺(tái)積電全新的2nm制程技術(shù)，這無(wú)疑將再度推高生產(chǎn)成本。業(yè)內(nèi)分析認(rèn)為，這一變化或?qū)⒁l(fā)終端旗艦產(chǎn)品的新一輪漲價(jià)潮。

臺(tái)積電的2nm制程技術(shù)備受矚目，其首次引入了Gate-all-around FETs（GAAFET）晶體管技術(shù)，并結(jié)合NanoFlex技術(shù)，為芯片設(shè)計(jì)人員提供了前所未有的標(biāo)準(zhǔn)元件靈活性。相較于當(dāng)前的N3E工藝，N2工藝在相同功率下預(yù)計(jì)可實(shí)現(xiàn)10%至15%的性能提升，或在相同頻率下將功耗降低25%至30%。這一技術(shù)突破無(wú)疑將為用戶(hù)帶來(lái)更為出色的使用體驗(yàn)。

然而，技術(shù)的升級(jí)往往伴隨著成本的增加。據(jù)透露，臺(tái)積電每片300mm的2nm晶圓報(bào)價(jià)可能超過(guò)3萬(wàn)美元，而當(dāng)前3nm晶圓的價(jià)格則在1.85萬(wàn)至2萬(wàn)美元之間。這一價(jià)格差異無(wú)疑將對(duì)終端產(chǎn)品的定價(jià)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。

面對(duì)即將到來(lái)的價(jià)格上漲，消費(fèi)者或許需要提前做好心理準(zhǔn)備。不過(guò)，從另一方面來(lái)看，技術(shù)的不斷升級(jí)也將為用戶(hù)帶來(lái)更為出色的產(chǎn)品性能和使用體驗(yàn)。因此，在價(jià)格上漲的同時(shí)，我們也期待看到更多創(chuàng)新技術(shù)的涌現(xiàn)。