臺積電首席執(zhí)行官魏哲家近日表示，市場對2納米技術(shù)的興趣已顯著超越3納米技術(shù)，標志著更先進的2nm工藝正受到業(yè)界的廣泛青睞。這一趨勢預示著臺積電在未來數(shù)年內(nèi)有望保持強勁且穩(wěn)定的增長。

盡管臺積電正積極在全球范圍內(nèi)擴展其先進制程技術(shù)的晶圓廠網(wǎng)絡(luò)，包括在美國、歐洲和日本等地進行布局，但公司坦言，受到監(jiān)管政策的約束，其最尖端的生產(chǎn)技術(shù)仍無法轉(zhuǎn)移至這些海外基地。這一限制主要源于對核心技術(shù)外流的法律防范措施。

臺積電指出，其海外晶圓廠若想要生產(chǎn)2nm芯片，仍需經(jīng)過數(shù)年的深入規(guī)劃與準備，以確保公司全球領(lǐng)先的工藝技術(shù)能夠繼續(xù)在本土得到保留與發(fā)展。

在臺積電的美國亞利桑那州布局方面，公司正穩(wěn)步推進首座晶圓廠的建設(shè)工作，該廠預計將于2025年初投產(chǎn)，并率先采用4nm制程技術(shù)。初始月產(chǎn)能預計將介于2萬至3萬片之間，這將成為臺積電在海外先進制程生產(chǎn)領(lǐng)域的重要里程碑。

隨后，臺積電計劃在同一地點建設(shè)第二座晶圓廠，該廠將采用更為先進的3nm制程技術(shù)，并規(guī)劃月產(chǎn)能達到2.5萬片。預計到2028年，這兩座工廠的合計月產(chǎn)能將提升至6萬片。

臺積電還透露了第三座晶圓廠的建設(shè)計劃，該廠將瞄準2nm或更為先進的技術(shù)節(jié)點，并預計在2030年前完工。這一系列戰(zhàn)略布局不僅進一步鞏固了臺積電在全球半導體行業(yè)的領(lǐng)導地位，同時也為公司的長期發(fā)展打下了堅實基礎(chǔ)。