近期，半導(dǎo)體行業(yè)傳來一則重要消息，SK 海力士預(yù)計將成為英偉達新一代Blackwell Ultra架構(gòu)芯片的核心供應(yīng)商，獨家提供第五代12層HBM3E內(nèi)存。這一舉措預(yù)計將進一步鞏固SK海力士在高端內(nèi)存市場的領(lǐng)先地位，同時拉大其與三星電子和美光科技之間的技術(shù)差距。

回顧去年9月，SK海力士在全球率先實現(xiàn)了12層HBM3E芯片的量產(chǎn)，該芯片的最大容量達到了36GB。在性能上，12層HBM3E的運行速度高達9.6Gbps，這意味著在配備四個HBM的GPU上運行大型語言模型，如“Llama 3 70B”時，每秒能夠讀取35次700億個參數(shù)，展現(xiàn)了其卓越的數(shù)據(jù)處理能力。

值得注意的是，SK海力士與英偉達的合作不僅限于當前這一代產(chǎn)品。去年11月，SK集團會長崔泰源透露，英偉達CEO黃仁勛已向SK海力士提出要求，希望其能提前六個月供應(yīng)下一代高帶寬內(nèi)存芯片HBM4。為了滿足這一需求，SK海力士計劃在2025年下半年推出首批采用12層DRAM堆疊的HBM4產(chǎn)品，而更高規(guī)格的16層堆疊HBM則將在2026年稍后推出。

與此同時，三星電子在高端內(nèi)存市場的追趕之路并未停止。據(jù)彭博社今年2月的報道，三星電子已獲得向英偉達供應(yīng)其8層HBM3E高帶寬存儲芯片的批準。盡管這一進展標志著三星在技術(shù)上的進步，但在高帶寬內(nèi)存（HBM）技術(shù)領(lǐng)域，三星仍落后于SK海力士和美光科技等競爭對手。

美光科技方面，也在積極布局高端內(nèi)存市場。公司執(zhí)行副總裁兼首席財務(wù)官Mark Murphy在今年2月透露，美光的12層堆疊HBM內(nèi)存產(chǎn)品（12Hi HBM3E）即將實現(xiàn)放量生產(chǎn)。這表明，美光科技也在加速推進其高端內(nèi)存產(chǎn)品的商業(yè)化進程，試圖在激烈的市場競爭中占據(jù)一席之地。

隨著SK海力士、三星電子和美光科技等公司在高端內(nèi)存市場的激烈競爭，未來誰將占據(jù)主導(dǎo)地位仍充滿變數(shù)。但可以預(yù)見的是，技術(shù)的不斷創(chuàng)新和升級將是決定勝負的關(guān)鍵。