近日，銀川經濟技術開發區管理委員會發布了一項重要科技成果的消息。3月15日，由中國電工技術學會主導，寧夏超導泛半導體科技有限責任公司作為主要組織者，在銀川成功舉辦了“高溫超導磁控硅單晶生長裝備、技術及應用科技成果鑒定會”。

此次鑒定會匯聚了眾多科技領域的專家，其中，中國科學院院士甘子釗擔任專家委員會主席。經過深入評估，專家委員會對項目給予了高度評價，認為該項目不僅突破了傳統磁拉單晶技術的限制，還成功解決了硅單晶生長過程中多項關鍵技術的難題。這一成果填補了我國在高端硅晶體制造領域的多項空白，綜合性能已達到國際領先水平。

據了解，高溫超導磁控硅單晶生長裝備及技術的關鍵在于引入了高溫超導磁體技術。寧夏超導泛半導體科技有限責任公司的科研團隊，針對高品質大尺寸硅單晶生長的技術瓶頸，成功研制出了這一裝備。該裝備和技術不僅可以將硅片含氧量穩定控制在5ppma以下，還使得硅棒頭尾的利用率提升了4%以上，生產效率提高了12%。目前，已經成功拉制出直徑達到340毫米的高品質硅棒。

銀川經濟技術開發區管理委員會表示，大尺寸硅單晶長棒的快速、高穩定性、低含氧量的生長，對于解決大尺寸（12英寸以上）高品質硅單晶的低成本、規模化生產具有重要意義。這不僅有助于全產業鏈的降本增效，還能推動技術迭代升級。項目報告顯示，寧夏超導泛半導體科技有限責任公司的這項技術，已經在實際應用中取得了顯著成效。

甘子釗院士在鑒定會上指出：“這是國際上首次將高溫超導技術應用于磁控直拉單晶生長，為高溫超導技術的產業化發展做出了開創性的貢獻，開辟了超導技術產業化的新方向。”這一評價無疑是對項目團隊辛勤付出的高度認可和肯定。

此次科技成果的取得，不僅標志著我國在高溫超導磁控硅單晶生長裝備及技術領域取得了重大突破，也預示著我國在高端硅晶體制造領域將擁有更加廣闊的發展空間和前景。