三星電子正醞釀著一項(xiàng)新的技術(shù)戰(zhàn)略，旨在通過(guò)引入常規(guī)結(jié)構(gòu)的第8代10納米級(jí)DRAM制程，進(jìn)一步夯實(shí)其在內(nèi)存開(kāi)發(fā)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。這項(xiàng)計(jì)劃不僅是為了技術(shù)儲(chǔ)備，更是為未來(lái)潛在的商業(yè)化鋪路。

原本，三星計(jì)劃在2026年第四季度量產(chǎn)基于4F2VCT創(chuàng)新結(jié)構(gòu)的0a納米級(jí)內(nèi)存，但最新消息顯示，這一計(jì)劃已被推遲至2028年。據(jù)悉，若4F2VCT DRAM最終實(shí)現(xiàn)商業(yè)化，相關(guān)的新技術(shù)和設(shè)備投入將至少延續(xù)到2029年。這一變動(dòng)無(wú)疑給市場(chǎng)帶來(lái)了新的期待與猜測(cè)。

據(jù)內(nèi)部消息透露，三星近年來(lái)在非主要產(chǎn)品技術(shù)開(kāi)發(fā)上的投入曾一度不足，尤其是在HBM開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)規(guī)模縮減后，未能及時(shí)搶占市場(chǎng)先機(jī)。然而，這一情況如今已有了顯著改善。三星開(kāi)始更加重視“備選技術(shù)”的發(fā)展，如1e納米級(jí)DRAM等，這些努力被視為是對(duì)過(guò)去戰(zhàn)略失誤的反思與調(diào)整。

4F2VCT DRAM技術(shù)的亮點(diǎn)在于其DRAM單元的小型化以及垂直空間的高效利用。然而，這一優(yōu)勢(shì)的背后，是生產(chǎn)流程中大量新技術(shù)和新設(shè)備的引入，這無(wú)疑將增加資本支出和生產(chǎn)成本。盡管如此，三星仍堅(jiān)持推進(jìn)這一技術(shù)，足見(jiàn)其對(duì)未來(lái)內(nèi)存市場(chǎng)的雄心。

值得注意的是，三星內(nèi)部對(duì)非主要產(chǎn)品技術(shù)開(kāi)發(fā)的重視程度提升，或許與其對(duì)核心競(jìng)爭(zhēng)力的重新審視有關(guān)。隨著市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的日益激烈，三星愈發(fā)認(rèn)識(shí)到自己在內(nèi)存領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)所在，并著手加強(qiáng)相關(guān)技術(shù)的研發(fā)與儲(chǔ)備。

這一系列舉措不僅展示了三星在技術(shù)創(chuàng)新上的決心，也為其在內(nèi)存市場(chǎng)的未來(lái)發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。隨著新技術(shù)的不斷涌現(xiàn)和市場(chǎng)的不斷變化，三星能否憑借這些努力在激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中脫穎而出，我們將拭目以待。