一汽紅旗近日取得了重要技術(shù)突破，其研發(fā)總院新能源開發(fā)院功率電子開發(fā)部成功自主研發(fā)出碳化硅功率芯片，并已完成首次流片。這一成果標(biāo)志著紅旗在新能源汽車核心技術(shù)領(lǐng)域邁出了堅實的一步。

在研發(fā)過程中，紅旗團隊全面主導(dǎo)了從產(chǎn)品核心指標(biāo)定義到晶圓封測的全鏈條開發(fā)。他們精心選擇了襯底與外延材料，并設(shè)計了創(chuàng)新的元胞結(jié)構(gòu)，以確保芯片的高性能和高可靠性。

據(jù)官方介紹，這款碳化硅功率芯片專為整車電驅(qū)動、智慧補能等系統(tǒng)應(yīng)用需求而設(shè)計。它采用了多項先進技術(shù)，實現(xiàn)了擊穿電壓超過1200V和導(dǎo)通電阻小于15mΩ的優(yōu)異性能。