近期，臺灣《電子時報》披露了一則關(guān)于三星電子內(nèi)存制造策略轉(zhuǎn)變的重要消息。據(jù)悉，三星正積極推進DRAM內(nèi)存制程工藝的戰(zhàn)略升級，這一舉措將直接影響到采用舊版1y nm（即第二代10nm級別）工藝的DDR4內(nèi)存模組的生產(chǎn)。

根據(jù)供應(yīng)鏈企業(yè)的反饋，他們已收到多款8GB及16GB容量的DDR4 SODIMM/UDIMM內(nèi)存條的停產(chǎn)通知。這些產(chǎn)品的最后訂購日期定于今年6月上旬，而最后一批貨物的交付則安排在2025年12月10日。

報道進一步指出，三星電子正加速其傳統(tǒng)DRAM內(nèi)存生產(chǎn)線的轉(zhuǎn)型步伐，目標(biāo)是轉(zhuǎn)向DDR5、HBM等更先進的內(nèi)存產(chǎn)品。這一轉(zhuǎn)型策略意味著與舊制程緊密相連的DDR3和DDR4內(nèi)存將逐步退出歷史舞臺。

事實上，三星電子的內(nèi)存制造策略調(diào)整早已顯現(xiàn)端倪。據(jù)悉，該公司已在2024年第二季度停止生產(chǎn)DDR3內(nèi)存。與此同時，1y nm DDR4的產(chǎn)能占比也在迅速縮減，預(yù)計從今年年中開始，這一占比將從去年的約20%下降到不足一成。更令人矚目的是，下一代1z nm DDR4的生產(chǎn)預(yù)計也將在2027年畫上句號。