近日，據國際科技媒體Wccftech報道，內存制造商美光科技公司分享了其HBM4及HBM4E項目的最新研發動態，引起了業界的廣泛關注。
據悉，美光即將推出的HBM4內存將采用前所未有的2048位接口設計，并計劃在2026年步入大規模生產階段。而更為先進的HBM4E版本，則將在未來幾年內面世。HBM4E不僅數據傳輸速度將超越HBM4，更引人注目的是，它將支持基礎芯片的定制化服務，這一創新之舉有望為整個存儲行業帶來全新的發展機遇。
據美光透露，這些定制化的邏輯芯片將由臺積電采用先進的生產工藝制造，能夠大幅度提升內存的集成度和性能表現。臺積電先進的工藝將使美光能夠根據客戶的特定需求，提供量身定制的存儲解決方案。
美光總裁兼首席執行官Sanjay Mehrotra表示，HBM4E的推出將徹底改變存儲行業的面貌。他強調，通過結合臺積電先進的生產工藝，美光將能夠為客戶提供前所未有的定制化服務，這不僅將推動美光自身的財務表現，更將引領整個存儲行業的創新發展。
目前，HBM4E的開發工作正在順利進行中，并已與多家客戶建立了合作關系。美光預計，不同客戶將根據自身需求，采用不同的基礎芯片配置。
在技術細節方面，美光的HBM4將采用1β工藝（即第五代10nm技術）生產的DRAM，搭載于2048位接口的基礎芯片上。其數據傳輸速率高達6.4GT/s，理論帶寬更是達到了每堆棧1.64TB/s的驚人水平。
美光還透露，針對英偉達Blackwell處理器的8-Hi HBM3E設備已經全面出貨，而12-Hi HBM3E堆棧也正在進行嚴格的測試，并已獲得了主要客戶的一致好評。Mehrotra表示，盡管美光的12-Hi HBM3E堆棧在功耗上比競爭對手的8-Hi版本低了20%，但其內存容量卻提高了50%，性能更是達到了行業領先的水平。
據了解，12-Hi HBM3E堆棧預計將用于AMD的Instinct MI325X和MI355X加速器，以及Nvidia的Blackwell B300系列計算GPU，為AI和HPC應用提供強大的支持。
