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國星光電:自主研發(fā) MicroLED 巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)現(xiàn)處于小批驗證階段

   發(fā)布時間:2022-10-06 14:01

10 月 6 日消息,昨日,國星光電在投資者互動平臺上表示,公司自主研發(fā) Micro LED 巨量轉(zhuǎn)移技術(shù),現(xiàn)處于小批驗證階段。

IT之家了解到,今年 9 月,國星光電宣布推出第二代 Micro LED 新品 ——nStar Ⅱ。nStar Ⅱ 為一款 3.5 英寸玻璃基 Micro LED 全彩顯示屏,像素間距 300 微米(P0.3),采用 TFT 驅(qū)動實現(xiàn)了 8bit(256 灰階)色深的顯示效果。

國星光電表示,nStar Ⅱ 玻璃基主動式驅(qū)動 Micro LED 顯示屏是通過巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)將 Micro LED 微型芯片鍵合到玻璃基板上,利用 TFT 驅(qū)動實現(xiàn)高清畫面顯示。

據(jù)介紹,國星光電目前已在巨量轉(zhuǎn)移、共晶鍵合、量子點全彩化、檢測修復(fù)、高可靠性封裝等 Micro LED 領(lǐng)域多項關(guān)鍵技術(shù)上取得突破,Mini / Micro LED 領(lǐng)域已申請發(fā)明專利 100 余件。


 
 
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