三星電子DS部門的首席技術官宋在赫，在國際固態電路會議（ISSCC）上發表了重要講話，并披露了一系列創新技術。此次會議于舊金山舉行，吸引了眾多業內人士的關注。

宋在赫詳細介紹的技術中，最為引人注目的是晶圓鍵合技術。這項技術將用于提升NAND閃存的堆疊層數，有望從當前的400層起步，進一步邁向1000層以上的新高度。他特別指出，鍵合技術能夠在NAND區域實現超過1000層的堆疊，這在業界尚屬首次。

為了直觀展示這一技術的潛力，宋在赫還公開展示了一份名為“Multi-BV NAND”結構的PPT。該結構通過堆疊四片晶圓（2+2）的方式，打破了傳統結構的限制，為實現更高層數的NAND閃存提供了可能。

值得注意的是，三星電子并非唯一一家致力于提升NAND閃存堆疊層數的企業。全球第二大NAND閃存制造商鎧俠也在積極研發類似技術，其目標是到2027年開發出1000層的3D NAND。而在中國，長江存儲同樣在這一領域取得了顯著進展，其“Xtacking”技術已經在量產的270層NAND閃存中得到應用。

業內人士指出，傳統的單元堆疊方式在單個晶圓上的堆疊層數有限，大約只能達到500層左右。因此，要實現三星所承諾的1000層NAND，必須采用多片晶圓堆疊的方式。事實上，三星早在2022年的技術日上就已經承諾，將在2030年之前開發出1000層的NAND。

除了晶圓鍵合技術外，三星還展示了其他兩項創新技術：低溫蝕刻和鉬沉積。低溫蝕刻技術預計將被用于400層或以上的NAND通孔制造中，目前已有東京電子和Lam Research等公司正在開發相關設備。這一技術的特點是能夠在極低的溫度下保持高速蝕刻，從而減少堆疊問題。

另一項創新技術是鉬沉積。三星計劃將鉬元素引入字線材料中，以取代傳統的鎢和氮化鈦材料。這一改變將大幅降低晶體管的電阻率，從而提升NAND閃存的性能。據業內人士透露，使用鉬可以進一步減少層高30%至40%，目前已有相關設備廠商在這一領域展開競爭。

隨著這些新技術的應用，材料市場也將迎來一場大變革。新一代NAND閃存的生產將不僅涉及前驅體的變革，還將對蝕刻液劑、動力氣體等材料產生重大影響。這一變革將推動整個半導體產業鏈的發展和創新。