近日，三星電子對于一項有關其DRAM技術發展的報道做出了正式回應。據DigiTimes報道，三星已明確否認了有關其正在重新設計第五代10nm級DRAM（即1b DRAM）的消息。

此前，ETNews曾報道稱，為了應對12nm級DRAM產品在良率和性能上面臨的挑戰，三星電子在2024年底決定在改進現有1b nm工藝的同時，啟動新版1b nm DRAM的從頭設計工作。這一消息在業界引起了廣泛關注。

市場觀察人士指出，三星此舉可能是出于競爭壓力。SK海力士和美光科技已在HBM內存中采用了1b DRAM技術，而三星目前仍在使用較舊的1a DRAM。這一技術差距可能對三星在DRAM市場的領先地位構成威脅。

據進一步報道，三星已啟動了一個名為“D1b-p”的開發項目，旨在提升其DRAM業務的競爭力。其中，“p”代表“prime”，象征著卓越的品質。該項目特別關注提高電源效率和散熱性能，以應對日益增長的市場需求和技術挑戰。

作為全球DRAM市場的領導者，三星目前正面臨來自SK海力士和美光科技的強勁挑戰。這兩家公司不僅成功商業化了1b DRAM，SK海力士更是在2024年8月率先完成了1c DRAM的開發，進一步鞏固了其在高端DRAM市場的地位。

值得注意的是，有消息稱即將發布的三星Galaxy S25系列智能手機將采用美光作為其主要的移動DRAM（LPDDR5）供應商。這一決定被認為是由于三星尚未完全解決1b LPDDR5X的良率和散熱問題，因此選擇了與競爭對手合作以確保產品的質量和性能。

然而，三星通過相關媒體對此類報道進行了否認，稱相關報道并不準確。盡管如此，此次事件仍然引發了業界的廣泛關注，進一步凸顯了存儲芯片市場競爭的激烈程度。三星作為行業巨頭，其每一步動向都備受矚目，而此次關于DRAM技術發展的爭議無疑為市場增添了更多不確定性。