SK海力士近期宣布了一項重大技術突破，正式量產(chǎn)全球首款具備321層堆疊技術的1TB TLC 4D NAND閃存。

據(jù)悉，自2023年6月成功量產(chǎn)238層NAND閃存以來，SK海力士持續(xù)引領存儲技術的前沿發(fā)展。此次推出的321層NAND閃存，不僅標志著技術層面的飛躍，更是全球首次實現(xiàn)超過300層堆疊的NAND閃存大規(guī)模生產(chǎn)。

在生產(chǎn)策略上，SK海力士巧妙地沿用了238層產(chǎn)品的開發(fā)平臺，此舉有效減少了工藝轉(zhuǎn)換帶來的潛在影響，并顯著提升了生產(chǎn)效率達59%。這一決策不僅確保了技術穩(wěn)定性，還加速了新產(chǎn)品的市場投放進程。

與上一代產(chǎn)品相比，321層NAND閃存展現(xiàn)了更為出色的性能。數(shù)據(jù)傳輸速度提升了12%，讀取性能增強了13%，同時數(shù)據(jù)讀取能效也實現(xiàn)了超過10%的增長。這些提升對于滿足當前及未來市場對高效能存儲解決方案的需求至關重要。

SK海力士NAND開發(fā)團隊的負責人Jungdal Choi對此表示：“此次技術的革新，進一步鞏固了我們在AI存儲市場的領先地位，特別是在AI數(shù)據(jù)中心和終端設備AI應用所需的SSD領域。”