分析機構TrendForce集邦咨詢近日披露，全球三大HBM內存制造商已決定在HBM5 20hi世代采納混合鍵合Hybrid Bonding技術。此項技術革新旨在應對堆疊高度、I/O密度及散熱等多方面挑戰。
據悉，SK海力士、三星電子及美光科技在HBM4與HBM4e兩代產品中將分別推出12hi和16hi版本，以滿足市場對不同容量的需求。其中，12hi版本將繼續沿用現有的微凸塊鍵合技術，而16hi版本的技術路徑則尚待確認。
英偉達未來的AI GPU預計將采用與HBM5內存3D堆疊的集成方式，而非現行的2.5D方式，這一變化預示著內存技術的新趨勢。
混合鍵合技術因其無凸塊設計，不僅可容納更多堆疊層數和更厚的晶粒，從而改善芯片翹曲問題，還能顯著提升傳輸速度和散熱性能。然而，該技術仍面臨微粒控制等挑戰。
對于HBM4(e)16hi產品是否采用混合鍵合技術，制造商面臨兩難選擇：一方面，提前引入新技術可加速學習曲線并確保HBM5 20Hi的順利量產；另一方面，這也意味著需要額外的設備投資，并可能犧牲在微凸塊鍵合技術上的部分優勢。
混合鍵合的晶圓對晶圓（WoW）堆疊模式對生產良率提出了更高要求，并可能導致DRAM芯片尺寸與底部Base Die相同，這一變化可能使臺積電等具備先進Base Die生產與WoW堆疊能力的企業在HBM生產中扮演更重要角色，進而改變整個HBM加先進封裝的商業模式。
