科學(xué)界傳來新突破，一項由Lam Research、科羅拉多大學(xué)博爾德分校及美國能源部普林斯頓等離子體物理實驗室（PPPL）攜手研發(fā)的新型蝕刻工藝近日曝光。這項創(chuàng)新技術(shù)運用氟化氫等離子體，成功將硅材料垂直通道的蝕刻效率翻倍，僅需短短一分鐘，便能完成640納米的蝕刻作業(yè)。

該技術(shù)的核心在于，通過氧化硅與氮化硅的交替層上精準打孔，并將這些分層材料暴露于等離子體形態(tài)的化學(xué)物質(zhì)中。等離子體中的原子與分層材料原子間的相互作用，催生了高效的孔洞通道。這一步驟不僅簡化了傳統(tǒng)蝕刻工藝的復(fù)雜性，還極大提升了效率。

研究人員進一步發(fā)現(xiàn)，通過引入三氟化磷等特定化學(xué)材料，蝕刻工藝的性能得以進一步優(yōu)化。不過，他們也指出，在某些條件下，蝕刻過程中產(chǎn)生的副產(chǎn)品可能會對效率造成干擾。幸運的是，這一問題通過添加適量的水便迎刃而解。特別是在低溫條件下，水的加入能有效促使鹽分解，加速整體進程。