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三星電子獲美346億補貼,原計劃4nm投資被砍,2nm成焦點

   發布時間:2024-12-26 12:21 作者:柳晴雪

近期,三星電子宣布成功獲得美國商務部《CHIPS》法案激勵計劃的支持,將收獲高達346.37億元人民幣的直接資金補貼。這一消息是在美國商務部于12月20日公布的相關公告中透露的。

根據最新的協議細節,三星電子在美國半導體領域的投資規模有所調整,從原先宣布的超過400億美元減少至超過370億美元。同時,項目的具體內容也發生了一些變動。

原本計劃在得克薩斯州泰勒市建設的一座專注于生產3D HBM和2.5D封裝的先進封裝設施,在最終協議中被取消。泰勒市原本計劃建設的兩座先進制程工廠,原本將分別量產4nm和2nm制程技術,但最新的協議僅提及了2nm制程技術的建設。

由于這些變動,相關項目所能提供的高薪制造業工作崗位和建筑工作機會也相應減少。原本預計能創造超過4500個制造業崗位和超過17000個建筑工作機會,而現在,這些數字分別降低到了3500多個和約12000個。

盡管如此,三星電子對于2nm制程技術的發展仍然充滿信心。新任foundry負責人韓真晚曾表示,該部門當前的首要任務是確保2nm產能的快速爬坡,并提升工藝質量。他強調,這將有助于泰勒廠的2nm制程技術在美國本土贏得Fabless設計企業的青睞。

 
 
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