近期，韓國媒體SEDaily發布了一則關于三星電子的最新研發進展。據悉，三星在其內部研發機構已經成功完成了4XX層第10代3D V-NAND閃存的開發工作。這一技術的研發成果，標志著三星在閃存技術領域又邁出了重要的一步。
據了解，這款新開發的4XX層第10代3D V-NAND閃存，采用了先進的晶圓鍵合技術，其存儲密度高達28 Gb/mm2，同時I/O引腳速率也達到了5.6Gb/s。三星電子計劃在2025年的IEEE ISSCC國際固態電路會議上，正式向外界介紹這一創新產品。據透露，該產品的具體型號為1Tb TLC NAND。
對于這一新技術的量產進度，三星電子也在積極推進。據悉，從上個月開始，三星已經將該技術轉移至位于平澤的1號工廠量產線上。然而，量產并非易事，特別是在開發階段的良率僅為10%~20%的情況下，要達到量產的門檻——60%的良率，還需要付出更多的努力。
韓媒SEDaily分析認為，三星的第10代V-NAND閃存將采用三堆棧結構，這有望進一步提升其性能和穩定性。盡管在量產前還面臨諸多挑戰，但三星電子正全力以赴，在量產線上不斷提升第10代V-NAND的良率。如果一切順利，三星有望在2025年下半年獲得PRA量產就緒許可，并最快在明年二季度末進入量產階段。
三星電子在NAND閃存領域的領先地位已經得到了業界的廣泛認可。根據TrendForce集邦咨詢的數據，三星電子在2024年三季度繼續蟬聯全球第一大NAND閃存原廠。為了進一步鞏固這一領先地位，三星不僅在研發上不斷投入，還在積極擴充先進產能。
據透露，三星計劃明年在平澤P4工廠新增每月3~4萬片晶圓的V9 NAND產能。同時，位于中國西安的工廠也在推進制程升級工作，這將有助于提升三星的閃存產能和競爭力。可以預見，在未來的NAND閃存市場中，三星電子將繼續保持其領先地位，為行業帶來更多的創新和突破。
