在半導體材料領域，一項重大創新近日由國內領先的碳化硅單晶襯底材料制造商天岳先進宣布。該公司在Semicon Europe 2024展覽會上，于德國慕尼黑展示了業界首款300mm N型碳化硅襯底。

天岳先進指出，隨著全球范圍內新能源汽車、光伏儲能、5G通訊以及高壓智能電網等行業的蓬勃發展，對能夠承受高功率、高電壓及高頻率工作環境的碳化硅基器件的需求呈現出爆炸式增長。這一趨勢對碳化硅材料的質量和產量提出了更高的要求。

此次發布的300mm碳化硅襯底，意味著在單片晶圓上可用于芯片制造的面積將顯著擴大，從而極大地提升了合格芯片的產量。在相同的生產條件下，這種大尺寸襯底不僅能夠提高生產效率，還能有效降低單位成本，為碳化硅材料的廣泛應用奠定了堅實基礎。

天岳先進自2010年成立以來，一直致力于碳化硅和氮化鎵材料的研發與生產。其產品涵蓋了4H導電型碳化硅單晶襯底和4H半絕緣型碳化硅單晶襯底，前者用于碳化硅外延層生長，后者則用于氮化鎵外延層生長。目前，天岳先進已經能夠提供6英寸和8英寸的導電型襯底，以及4英寸和6英寸的半絕緣型襯底。

此次300mm N型碳化硅襯底的發布，標志著天岳先進在碳化硅材料領域取得了重大突破，不僅滿足了市場對高性能碳化硅基器件的迫切需求，也為未來的半導體材料發展開辟了新的道路。